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关注|国家信息光电子创新中心发布“创芯”成果 建设一流平台

2019-12-2 16:46| 发布者: admin| 查看: 83| 评论: 0

摘要: 导读       11月12日,由国家信息光电子创新中心主办的第二届中国硅光产业论坛在武汉成功举办。国家信息光电子创新中心副董事长毛浩在会上发表开幕致辞,傅焰峰博士发表《国家信息光电子创新中心建立与发展》的主题报告,向行业详细介绍了国家信息光电子创新中心建立及成立以来取得的成果。       ICCSZ讯(编辑:Anton)11月12日,由国家信息光电子创新中心主办的第二届中国硅光产业论坛在武汉成

导读

       

11月12日,由国家信息光电子创新中心主办的第二届中国硅光产业论坛在武汉成功举办。国家信息光电子创新中心副董事长毛浩在会上发表开幕致辞,傅焰峰博士发表《国家信息光电子创新中心建立与发展》的主题报告,向行业详细介绍了国家信息光电子创新中心建立及成立以来取得的成果。

       ICCSZ讯(编辑:Anton)11月12日,由国家信息光电子创新中心主办的第二届中国硅光产业论坛在武汉成功举办。国家信息光电子创新中心副董事长毛浩在会上表示:硅光产业论坛将产业链汇聚一起,探讨硅光技术的应用和发展。近年来经过调查与实践,硅光技术被认为是行业需要突破的产业共性瓶颈以及未来的发展方向。随着5G商用,5G承载场景对硅光技术的需求更加明显,在已经实现规模商用的数据中心市场中,硅光产品也在不断向更高速阶段冲击,例如阿里巴巴推出400G DR4硅光模块。
      国家信息光电子创新中心成立的意义在于汇聚全行业链资源,推动人才、技术和资本等社会资源的融合,促进新技术的商用化,不与上下游竞争,发挥产业资源最大优势,突破硅光产业的发展瓶颈。
      在论坛上,国家信息光电子创新中心傅焰峰博士发表《国家信息光电子创新中心建立与发展》的主题报告,向行业详细介绍了国家信息光电子创新中心建立及成立以来取得的成果。
      2018年4月26日,承载着解决我国信息光电子制造业“关键和共性技术协同研发,实现首次商业化”战略任务的国家信息光电子创新中心在武汉正式挂牌成立。在目前国内光通信产业链科研和应用实力强,开发和验证能力弱的背景下,国家信息光电子创新中心依托国内领先的芯片工艺开发和中试验证平台,希望能够买通产学研之间的“死亡谷”,实现高端光芯片的自主可控。
   关键设施设备提升 提供高效对外服务   
      傅焰峰表示,在III-V族光芯片试验证平台上,我们在已有的工艺上对光刻、外延、镀膜等关键设施和装备进行了增补和提升,掌握了完整的高速DFB、VCSEL、EML激光器、探测器芯片等InP、GaAs光芯片加工工艺,完全具备对外服务能力。
      硅光平台方面有国内首套自动化8/12寸硅光晶圆筛检系统以及高速硅基芯片测试系统。已经开始对中科院、华科、中山大学在内的20余家企业和高校提供对外服务。
      光电子封测平台已建成手动和半自动耦合封装系统,另外采购了全自动光电子芯片封装系统。在光纤放大器和激光器测试上已经开始对外服务。
      应用技术开发平台已建成国内领先的“超高速、超大容量、超长跨距”光传输技术验证平台,支持光器件的Pb/s级、万km光纤传输系统功能验证,可提供光纤激光器、光学传感、空间光等新兴应用的测试和验证服务。
    成功研制首款 100G硅光芯片 2020年Q1 400G硅光模块送样    
      在成果方面,创新中心研制出国内首款1*100G硅光调制器芯片和模块样机,预计2020年第一季度实现400G硅光模块送样。另外在研的有25G波长可调光芯片,主要应用与5G前传光模块,创新中心与光迅联合研制25G可调谐光发射组件,实现硅基调制器与III-V SG-DBR可调激光器芯片混合集成,于今年第三季度出样,国际上尚未有同类商用产品问世。
      创新中心还与中山大学蔡鑫伦团队联合研发超高速LN薄膜光调制器芯片,单通道调制速率达120Gbaud NRZ,220Gb/s PAM4。与中科院祁楠团队联合开发5G光模块所需的高速CMOS TIA和驱动器芯片。随后在国内率先完成50Gb/s PAM4硅基光电子集成,相关成果已投稿IEEE JSSC特邀报道。
    整合产业资源 协同发展    
      国家信息光电子创新中心成立后,重点针对我国“缺芯”问题,重点增补提升平台的关键设施,装备及封装、检测能力。经过了一年多的发展,攻克了100G硅光收发芯片的研制和生产,为企业和高校提供优质对外服务,未来也将充分整合产业链资源,与业界同行广泛合作,为提高芯片国产供给率贡献出自己的力量!
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